職位概述

崗位職責:
1、磊晶結構及元件物理、電學特性分析
2、開發建立TCAD /Silvaco器件仿真模型,著重在GaAs pHEMT,GaAs HBT, GaN HEMT等領域
3、研發及客戶服務。

其他要求

  • 崗位要求:
    1、半導體微電子工程、電子信息工程、材料科學或電子物理系等理工科相關專業本科及以上學歷;擁有半導體物理等相關基礎知識,有半導體產業先關經歷者尤佳
    2、熟悉pHEMT/HBT基本工作原理
    3、熟悉專利數據以及技術文獻查找流程,具英文讀/寫能力。
    4、溝通協調能力佳,能吃苦,肯加班,有志長期從事半導體建模、射頻技術研發工作,具備良好的團隊協作能力。

薪酬福利

周末雙休五險一金帶薪年假獎金豐厚包住宿餐補專業培訓

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